|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
YAGEO
|
14 308
|
3.06
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC1206KKX5R6BB106 |
|
Керамический ЧИП конденсатор.10 мкФ, X5R, 10%, 1206, 10B
|
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS2413P+ |
|
Порт ввода/вывода адресуемый
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
MUR4100 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR4100 |
|
|
|
2 000
|
5.60
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 825
|
24.68
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
|
24
|
84.00
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
76
|
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
USBUF02W6 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
5
|
35.20
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
10 396
|
38.00
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
80
|
30.60
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|