ADP3339AKCZ-1.8-RL
|
IC REG LDO 1.5A 1.8V SOT-223 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | anyCAP® |
| Топология регулятора | Positive Fixed |
| Напряжение выходное | 1.8V |
| Напряжение входное | 2.8 V ~ 6 V |
| Напряжение - падение (Typ.) | 0.23V @ 1.5A |
| Число регуляторов | 1 |
| Ток выходной | 1.5A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
533.76 | ||||||
| ADP3335ARM-3.3-RL7 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 641 |
|
|||||
| DS1302ZN+T | MAX |
|
|
|||||
| DS1302ZN+T |
|
|
||||||
| DS1302ZN+T | 4-7 НЕДЕЛЬ | 504 |
|
|||||
 |
 |
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В |
|
1 536.00 | ||
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | INTEGRATED SILICON SOLUTION |
|
|
|
|
|
|
IS41LV16100B-50KLI |
|
Оперативная память DRAM, паралельная , 16Мбит, 50нс, 3 ... 3.6В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 589 |
|
|
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 |
|
|
||||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ONS |
|
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | 8 454 |
|
|||
| MMUN2211LT1G |
|
Транзистор n-p-n 50V 100mA SOT23 | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
|||||
| S1D13506F00A2 | EPSON |
|
|
