|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SANYO
|
4
|
143.64
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
|
1
|
127.26
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
2SC5707 |
|
NPN транзистор широкого применения TO-251, 15Вт
|
ISC
|
1 355
|
33.84
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ONS
|
8
|
28.40
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
|
1
|
196.56
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1055ST100T3G |
|
Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
191
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
|
4
|
128.52
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS
|
1 443
|
34.12
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
1
|
|
|
|
|
|
NE5532P |
|
Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
344
|
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
8 778
|
18.59
|
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm
|
|
|
65.60
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
|
|
193.12
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA3810 |
|
AUD псевдостерео/расширение стереобазы
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
144
|
|
|