| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 350mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
16 338
|
2.40
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 685
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
847 457
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
449 135
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
220
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
30 166
|
1.17
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
93 195
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
121 729
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
246 960
|
0.96
>500 шт. 0.32
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
132 000
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
72 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
|
8
|
34.02
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
NXP
|
640
|
8.48
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
PHILIPS
|
298
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
NXP
|
146
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
HOTTECH
|
20 879
|
3.52
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
CJ
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
YJ
|
13 775
|
4.49
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
ASEMI
|
20
|
1.93
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
1
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
KOME
|
531
|
4.17
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
SUNTAN
|
11 494
|
5.04
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
KEEN SIDE
|
376
|
2.11
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
800
|
|
|
|
|
|
|
BCX54-16 |
|
Транзистор биполярный SMD S-N 45В 1A
|
20900
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5140T |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5140T |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5140T |
|
|
|
8
|
20.16
|
|
|
|
|
PBSS5140T |
|
|
PHILIPS
|
858
|
|
|
|
|
|
PBSS5140T |
|
|
NXP
|
21 896
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
|
9
|
100.80
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PBSS5540Z |
|
|
NXP
|
16
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
|
|
592.80
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
DI
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
ZETEX/DIODES
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
ZXLD1360ET5TA |
|
Драйвер светодиода 1 МГц, 1000 мА, 30 В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
388
|
|
|