| Корпус | SOT-23 |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Power - Max | 350mW |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Transistor Type | NPN |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DC COMPONENTS
|
8 217
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
DIOTEC
|
45 600
|
1.72
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
|
2 704
|
1.51
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
FAIRCHILD
|
8 101
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
PHILIPS
|
11 428
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
JSCJ
|
3 420
|
1.29
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
SZOMK
|
|
|
|
|
|
|
BAS19 |
|
Диод переключающий 100В 0,2А 50нс
|
3
|
1
|
1.28
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
|
2 384
|
35.15
|
|
|
|
|
FMMT459TA |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
DIOTEC
|
1 184
|
2.09
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
PHILIPS
|
4 500
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 504
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MCC
|
4
|
2.16
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
40 139
|
1.45
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
HOTTECH
|
116 128
|
1.26
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
SEMTECH
|
1 433
|
2.54
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YJ
|
86 479
|
1.91
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
FULIHAO TECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
JSCJ
|
74 193
|
1.01
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
TRR
|
45 600
|
1.06
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
KEEN SIDE
|
5 832
|
1.22
|
|
|
|
|
MMBTA92 |
|
Полевой транзистор SMD
|
MERRYELC
|
2 680
|
1.66
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
NCP1219AD100R2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
519
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
|
|
48.44
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ONS
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
566
|
|
|