BC638
Транзистор биполярный малой мощности PNP 60V, 1A, 0.8W, 50MHz
|
|
Версия для печати
| Корпус | TO-92-3 |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Power - Max | 1W |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| Transistor Type | PNP |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BC636 PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) Также в этом файле: BC638
Производитель:
|
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1616A | DC COMPONENTS |
|
|
||||
|
|
2SD1616A |
|
|
|||||
|
|
MF-0.125-3.0K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,125Вт, 3кОм, 5% | CHINA |
|
|
||
|
|
MF-0.125-3.0K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0,125Вт, 3кОм, 5% | 126 | 2.80 | |||
| NT73-2C-S7 | NHG |
|
|
|||||
| NT73-2C-S7 |
|
|
||||||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | TEXAS INSTRUMENTS | 8 | 26.14 | ||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | TEXAS |
|
|
||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | 18 | 71.82 | |||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | ТI |
|
|
||
|
|
TL071CDR |
|
1xOP JFET +-18V LN 13V/us | 4-7 НЕДЕЛЬ | 67 |
|
||
| ФД288Б |
|
9 600.00 |
