PAT0603E5421BST1

RES 5.42K OHM 0.15W 0.1% 0603

Версия для печати

Технические характеристики PAT0603E5421BST1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PAT
Сопротивление (Ом)	5.42K
Мощность (Ватт)	0.15W
Composition	Thin Film
Возможности	Moisture Resistant
Температурный коэфициент	±25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±0.1%
Tolerance	±0.1%
Size / Dimension	0.064" L x 0.032" W (1.63mm x 0.81mm)
Высота	0.018" (0.46mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PAT0603E5421BST1 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
24LC64-E/SN	ИС памяти 64кбит, 8кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс	MICRO CHIP
24LC64-E/SN	ИС памяти 64кбит, 8кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс	MICRO CHIP
24LC64-E/SN	ИС памяти 64кбит, 8кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс	Microchip Technology
24LC64-E/SN	ИС памяти 64кбит, 8кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс
24LC64-E/SN	ИС памяти 64кбит, 8кбит*8, 400кГц, 5мА, 2.5 ... 5.5В, serial, 2-Wire, I2C, 900нс	4-7 НЕДЕЛЬ	199
AT45DB161E-SHD-T		ADESTO	184	113.65
AT45DB161E-SHD-T			2 099	89.32
AT45DB161E-SHD-T		ATMEL
AT45DB161E-SHD-T		АDESTO
AT45DB161E-SHD-T		RENESAS	4 257	86.52
AT45DB161E-SHD-T		4-7 НЕДЕЛЬ	531
CC0805ZKY5V5BB226	Керамический конденсатор 22 мкФ, 6.3 В, +80% -20%	YAGEO	21 658	1.28
CC0805ZKY5V5BB226	Керамический конденсатор 22 мкФ, 6.3 В, +80% -20%
DS90CR285MTD		MAXIM
DS90CR285MTD		NATIONAL SEMICONDUCTOR
DS90CR285MTD				1 480.00
DS90CR285MTD		NATIONAL SEMICONDUCTOR
DS90CR285MTD		TEXAS INSTRUMENTS
DS90CR285MTD		NS	14	530.00
DS90CR285MTD		4-7 НЕДЕЛЬ	248
DS90CR285MTD		18
TMFLP0J476MTRF	Электролитический танталовый конденсатор 47 мкФ 6.3 В	HIT-AIC