PAT0603E2912BST1

RES 29.1K OHM 0.15W 0.1% 0603

Версия для печати

Технические характеристики PAT0603E2912BST1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PAT
Сопротивление (Ом)	29.1K
Мощность (Ватт)	0.15W
Composition	Thin Film
Возможности	Moisture Resistant
Температурный коэфициент	±25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±0.1%
Tolerance	±0.1%
Size / Dimension	0.064" L x 0.032" W (1.63mm x 0.81mm)
Высота	0.018" (0.46mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PAT0603E2912BST1 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 1% 30K1
0603 1% 30K1		TWN
0603 1% 30K1		TY	10 480	0.65 >1000 шт. 0.13
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG DEVICES
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8			800.00
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	ANALOG DEVICES
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	Analog Devices Inc
ADR421ARMZ	Источник опорного напряжения высокой точности, 2.5В, 1ppm/°C, - 40°C..+125°C, MSOP8	4-7 НЕДЕЛЬ	512
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ONS	24 229	4.21
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC846ALT1G		ON SEMICONDUCTO
BC846ALT1G
MCP3201-BI/SN	ИМС	MICRO CHIP	2 240	257.37
MCP3201-BI/SN	ИМС		24	434.75
MCP3201-BI/SN	ИМС	MICRO CHIP	4
MCP3201-BI/SN	ИМС	Microchip Technology
MCP3201-BI/SN	ИМС	4-7 НЕДЕЛЬ	145
T491A225K006AT		KEMET
T491A225K006AT		МЕКСИКА
T491A225K006AT