PAT0603E2912BST1

RES 29.1K OHM 0.15W 0.1% 0603

Версия для печати

Технические характеристики PAT0603E2912BST1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PAT
Сопротивление (Ом)	29.1K
Мощность (Ватт)	0.15W
Composition	Thin Film
Возможности	Moisture Resistant
Температурный коэфициент	±25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±0.1%
Tolerance	±0.1%
Size / Dimension	0.064" L x 0.032" W (1.63mm x 0.81mm)
Высота	0.018" (0.46mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	0603 (1608 Metric)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PAT0603E2912BST1 datasheet

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.063ВТ 0603 390 КОМ, 5%		ТАЙВАНЬ
0603 1% 1K18
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	MURATA	114 063	2.07
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	MUR	48 238	1.19
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	MURATA	2 369
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	Murata Electronics North America
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA			3.40
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	MURATA*
BLM18HG102SN1D	Чип-дроссель SMD 0603 1000 OHM 100MA	0.00
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage	ST MICROELECTRONICS
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage	NUMONYX
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage		7 783	111.00
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage	MICRON
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage	ФИЛИППИНЫ
M25PE80-VMW6G	Serial Flash Memory, 8 Mbit, Low Voltage	4-7 НЕДЕЛЬ	104
STM32L151C8T6A		ST MICROELECTRONICS	1 016	328.37
STM32L151C8T6A			466	275.80
STM32L151C8T6A		4-7 НЕДЕЛЬ	276