CRCW25122K40JNEG

Версия для печати

Технические характеристики CRCW25122K40JNEG

Мощность (Ватт)	1W
Сопротивление (Ом)	2.4K
Серия	CRCW
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Composition	Thick Film
Температурный коэфициент	±200ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±5%
Size / Dimension	0.248" L x 0.124" W (6.30mm x 3.15mm)
Высота	0.028" (0.70mm)
Number of Terminations	2
Корпус (размер)	2512 (6332 Metric)
Tolerance	±5%

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3224W-1-501E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=500 om ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS	40	121.16
3224W-1-501E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=500 om ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS
3224W-1-501E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=500 om ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	Bourns Inc
3224W-1-501E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=500 om ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
CRCW2512750RJNEG		VISHAY
CRCW2512750RJNEG		VISHAY
CRCW2512750RJNEG		Vishay/Dale
CRCW2512750RJNEG
MB8S		SEMTECH
MB8S		FAIR
MB8S			16 800	1.16
MB8S		FSC
MB8S		MCC
MB8S		FAIRCHILD
MB8S		FAIRCHILD	472
MB8S		GALAXY
MB8S		Fairchild Semiconductor
MB8S		КИТАЙ
MB8S		YJ	95 562	3.10
MB8S		DIOTEC	133	9.05
MB8S		MIC
MB8S		YT
MB8S		ONS
MB8S		KINGTRONICS
MB8S		DC COMPONENTS	27	6.03
MB8S		ONS-FAIR
MB8S		GALAXY ME
MB8S		SEP
MB8S		HOTTECH	35 004	2.07
MB8S		YANGJIE	54 000	2.03
MB8S		YANGJIE (YJ)
MB8S		YS	720	6.30
MB8S		LGE
MB8S		<>	24 000	1.03
MB8S		SUNTAN	4	3.07
MB8S		YANGZHOU YANGJIE
MB8S		KEEN SIDE	436	1.84 >100 шт. 0.92
MC78M15BDTRKG		ONS
MC78M15BDTRKG		ON Semiconductor
MC78M15BDTRKG
MC78M15BDTRKG
MC78M15BDTRKG		ON SEMICONDUCTOR
MC78M15BDTRKG		4-7 НЕДЕЛЬ	172
RC1206JR-073R6L		YAGEO	107 416	1.38 >500 шт. 0.46
RC1206JR-073R6L