Версия для печати
Технические характеристики AQY221N1S

Напряжение нагрузки	0 ~ 40 V
Напряжение входное	1.14VDC
Load Current	120mA
Сопротивление (On-State)	12.5 Ohm
Тип выхода	AC, DC (RF)
Каналы	SPST-NO (1 Form A)
Серия	PhotoMOS™ AQY
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип монтажа	Поверхностный
Termination Style	Gull Wing
Корпус (размер)	4-SOP
Корпус	4-SOP
Output Type	AC, DC (RF)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Реле

 » 

Твердотельные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DC COMPONENTS	84 737	1.56
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	DIOTEC	33 876	5.46
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMICRON
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)		12 000	1.59
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PHILIPS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	Fairchild Semiconductor
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIRCHILD
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	MCC
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NXP
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	NEXPERIA
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	VISHAY
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS-FAIR
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	ONS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	HOTTECH	40 944	1.52
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	LGE	2 136	2.07
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	PANJIT
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SEMTECH	16	2.72
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	KLS
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	KEEN SIDE	12 954	1.15
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	TAK CHEONG	240	1.48
		BAV103		Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)	SUNTAN	28 800	1.69
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 639	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DC COMPONENTS	39 695	1.55
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ON SEMICONDUCTOR
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MCC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIOTEC	3 024	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	ONS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	FAIRCHILD
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON	240
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NXP	1 212
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PHILIPS	976
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	КИТАЙ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	МАЛАЙЗИЯ
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	INFINEON TECH
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DI
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KINGTRON
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц		29 852	1.52  >100 шт.   0.76
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	DIODES
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PANJIT
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	GALAXY ME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	HOTTECH	400 652	1.20  >500 шт.   0.40
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	LRC
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH / NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KLS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGJIE (YJ)
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEX-NXP	57 600	3.10
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SEMTECH	3 026	1.11
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YJ	1 003 029	1.66  >100 шт.   0.83
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	PH/NXP
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	CTK	2 489	1.68
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	RUME
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	OLITECH ELECTRONICS
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	SUNTAN	1 360	1.06  >100 шт.   0.53
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	1
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	NEXPERIA	457 468	1.06
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	16	1.98  >100 шт.   0.99
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	XXW	458 354	1.20  >100 шт.   0.60
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	KEEN SIDE	2 840	1.20  >500 шт.   0.40
		BC847C		Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц	MERRYELC	46 800	1.16  >100 шт.   0.58
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)		7 080	13.33
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER	1 311
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	КИТАЙ
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	INFINEON
		IRFR024N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)	1
		LM2936DT-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2936DT-5.0					194.08
		LM2936DT-5.0			NSC
		LM2936DT-5.0			TEXAS INSTRUMENTS
		LM2936DT-5.0			4-7 НЕДЕЛЬ	763
		LT1781CS			LTC
		LT1781CS			LINEAR TECHNOLOGY
		LT1781CS					672.00
		LT1781CS			LINEAR TECHNOLOGY	100
		LT1781CS			4-7 НЕДЕЛЬ	488

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"