Версия для печати
Технические характеристики ILD213T

Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Тип выхода	Transistor
Vce Saturation (Max)	400mV
Напряжение выходное	70V
Current Transfer Ratio (Min)	100% @ 10mA
Voltage - Isolation	4000Vrms
Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Transistor

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	ANALOG DEVICES
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	ANALOG
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	МАЛАЙЗИЯ
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...
		ADUM1100BRZ		1канал, 100M бит/с, макс.задержка 18нс, изоляция 2.5кВ, Uп=3..5.5В, Iп.макс=16.8мА, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	692
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG DEVICES	1	237.58
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ANALOG
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...		4	340.20
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	Analog Devices Inc
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1200ARZ		2 канала, пр/обр канал=2/0, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	256
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	ANALOG DEVICES	59	695.51
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	ANALOG
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор			715.80
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	ANALOG DEVICES
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	Analog Devices Inc
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		ADUM1401ARWZ		Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор	4-7 НЕДЕЛЬ	628
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	NXP
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	PHILIPS
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)			39.16
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	PHILIPS
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	КИТАЙ	4 616	138.06
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	0.00
		BSN254A		Транзистор полевой SMD N-MOS 250V, 0.3A, 1W (Pin S-G-D)	1
		CLH1608T-10NJ-N			YAGEO	1	8.62
		CLH1608T-10NJ-N					3.00
		CLH1608T-10NJ-N			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CLH1608T-10NJ-N			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CLH1608T-10NJ-N			CHILISIN

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"