| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
288
|
263.38
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
483
|
366.75
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
26
|
219.63
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
378.47
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
RUME
|
1 392
|
142.70
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ICE2PCS01GXT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|
|
|
|
SFH6156-2T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
1 251
|
31.80
|
|
|
|
|
SFH6156-2T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
|
|
52.12
|
|
|
|
|
SFH6156-2T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
237
|
|
|
|
|
|
SFH6156-2T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 63-125% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
SPD06N80C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPD06N80C3 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SPD06N80C3 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SPD06N80C3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS
|
192
|
31.30
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
|
5
|
102.06
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
1
|
|
|
|
|
|
VIPER22ADIP-E |
|
ШИМ с токовым режимом управления для ИИП 730V, 0,352A, 30Om
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
333
|
|
|