|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип выхода | Transistor |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 22% @ 1mA |
| Current Transfer Ratio (Max) | 125% @ 10mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Output Type | Transistor |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CKX3-3.5-02A ГНЕЗДО НА ПЛАТУ |
|
|
||||||
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения |
|
48.44 | ||
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ONS |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|
|
|
|
NCP1400ASN50T1G |
|
Импульсный стабилизатор напряжения | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
| TL331IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 280 | 65.10 | |||||
| TL331IDBVR | 2 140 | 21.53 | ||||||
| TL331IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 6 016 |
|
|||||
| TL331IDBVR | TEXAS |
|
|
|||||
| TL331IDBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| USB/F-4 |
|
|
||||||
| ВИНТ М3.0Х 6 (35ШТ.) П/К |
|
76.80 |