|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип выхода | Transistor |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Напряжение выходное | 70V |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 22% @ 1mA |
| Current Transfer Ratio (Max) | 125% @ 10mA |
| Тип входа | DC |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Output Type | Transistor |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A01 GRAY |
|
|
||||||
| HU-05 PITCH 2.54MM |
|
|
||||||
| HU-05 PITCH 2.54MM |
|
|
||||||
|
|
|
IRFR13N20D |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 13A, 110W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR13N20D |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 13A, 110W |
|
73.92 | ||
|
|
|
IRFR13N20D |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 13A, 110W | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFR13N20D |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 13A, 110W | INFINEON |
|
|
|
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | SAMSUNG |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | VISHAY |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В | SAM |
|
|
|||
| TECAP 68/6.3V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 6.3 В |
|
|
||||
| TL331IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TL331IDBVR | 2 300 | 17.54 | ||||||
| TL331IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 6 016 |
|
|||||
| TL331IDBVR | TEXAS |
|
|
|||||
| TL331IDBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 369 |
|