| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3006P 10K |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAT54C-V-GS08 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BAT54C-V-GS08 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
BAT54C-V-GS08 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
NUOVA MISTRAL
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FAIRCHILD
|
57
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSR16 |
|
Тип стр. - P-N-P , Тип монт. - smd, VCEO, В - 60, Ic , А - 0,8, Ptot, Вт - 48, hFE - ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 849
|
14.32
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
21
|
42.84
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
3 891
|
8.91
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
2500
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4810
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4864
|
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
280
|
62.65
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
|
2 300
|
17.83
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
6 016
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL331IDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
369
|
|
|