|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
|
|
424.00
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
ANALOG DEVICES
|
9
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
JSMICRO
|
1 964
|
76.91
|
|
|
|
ADUM1201ARZ |
|
2 канала, пр/обр канал=1/1, 1M бит/с, макс.задержка 150нс, изоляция 2.5кВ, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
731
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
48 066
|
113.65
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM/DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
|
|
364.00
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX
|
11 136
|
120.73
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
DALLAS
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAX/DALL
|
87
|
229.19
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
MAXIM INTEGRATED
|
4 720
|
118.59
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
1
|
|
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
ANALOG DEVICES
|
216
|
108.40
|
|
|
|
DS18B20+ |
|
Датчик температуры однопр.,
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
294
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
1 165
|
26.33
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
14 459
|
18.27
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 900
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 172
|
26.35
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
22 060
|
30.24
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.80
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
2 088
|
35.14
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5 982
|
13.43
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
6 031
|
16.65
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
107
|
11.98
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
YOUTAI
|
13 060
|
3.88
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TI (TEXAS INSTRUMENTS)
|
16 000
|
10.42
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW
|
2 480
|
6.20
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
NE555DR |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
110
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 700
|
138.30
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
|
4
|
264.60
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
PMC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP142 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|