Версия для печати
Технические характеристики BTS452R

Корпус	PG-TO252-5
Корпус (размер)	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение питания	6 V ~ 52 V
Ток - выходной (пиковое значение)	6.5A
Ток выходной / канал	2.2A
Сопротивление (On-State)	150 mOhm
Число выходов	1
Тип входа	Non-Inverting
Тип	High Side
Серия	miniPROFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BTS452R (Дискретные сигналы) Smart Power High-Side-Switch Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com BTS452R datasheet 331.63Kb 17стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внутреннее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BNC-BJ		Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ...		17 160	12.10
		BNC-BJ		Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ...	BM	242	118.45
		BNC-BJ		Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ...	КИТАЙ	57	16.25
		BNC-BJ		Высокочастотные разъемы предназначены для соединения и разъединения в электронных ...	RUICHI	5 922	13.93
		BNC-CUP				212	22.31
		BNC-CUP			BM
		BNC-CUP			КИТАЙ	4	25.51
		BSP318S		N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...	INFINEON
		BSP318S		N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...
		BSP318S		N-канальный полевой транзистор (Vds=60V, Id=2.6A@T=25C, Rds=0,9 Ohm (typ), P=1,8W, -55 ...	EVVO	1 191	5.02
		BTS5215L			INFINEON
		BTS5215L					230.16
		BTS5215L			INFINEON
		BTS5215L			Infineon Technologies
		BTS5215L			4-7 НЕДЕЛЬ	280
		SM8S36A-E3/2D			VISHAY
		SM8S36A-E3/2D			Vishay/General Semiconductor
		SM8S36A-E3/2D					115.20
		SM8S36A-E3/2D			GENERAL SEMICONDUCTOR	10

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"