|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
|
|
320.00
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
США
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
ATMEL CORPORATION
|
6
|
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
MICRO CHIP
|
328
|
898.88
|
|
|
|
AT90USB162-16AU |
|
Аппаратный USB интерфейс, не требует программатора
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
545
|
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
|
|
280.80
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
25
|
1 602.64
|
|
|
|
ATMEGA16-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
672
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
|
79 440
|
1.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FAIRCHILD
|
2 248
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DI
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
PANJIT
|
1
|
2.61
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YJ
|
115 400
|
2.07
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
HOTTECH
|
170 604
|
1.16
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SIKOR
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
JSCJ
|
21 763
|
1.37
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YOUTAI
|
38 309
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SUNTAN
|
84 448
|
1.44
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
EVVO
|
54 368
|
1.04
|
|
|
|
BSS138 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
IRF7807A |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7807A |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
78.40
|
|
|
|
IRF7807A |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
300
|
28.36
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
666
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
1
|
|
|
|
|
|
ULN2004ADR |
|
7xDarl-Dr. 50V 0,5A TTL/CMOS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
261
|
|
|