Версия для печати
Технические характеристики IRF7314

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	29nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	780pF @ 15V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

IRF7314Q (Дискретные сигналы) 20V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF7314 datasheet 148.75Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	NXP
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт			34.40
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	INFINEON
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	PHILIPS
		BF998		Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	VISHAY
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт			13.60
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	PHILIPS
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	КИТАЙ
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	NXP
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON
		BFR93A		Маломощный N-P-N высокочастотный биполярный транзистор СВЧ 6ГГц 12В/35мА/0.3 Вт	INFINEON	54
		LMX1600TM		Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LMX1600TM		Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц			137.08
		LMX1600TM		Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR	4
		LMX1600TM		Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	NATIONAL	20	145.20
		LMX1600TM		Cинтезатор частоты с дробным коэфиц. 200...2000MГц /40...500 MГц	4-7 НЕДЕЛЬ	132
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP	208	495.94
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz		290	478.31
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	MICRO CHIP
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	Microchip Technology
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PIC16F873A-I/SO		8ми разрядный микроконтроллер 4Kx14 Flash, 22I/O, 20MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	148
		КД409А		Диод универсальный импульсный 24В,0,05А		868	3.78
		КД409А		Диод универсальный импульсный 24В,0,05А	НАРЫШКИНО
		КД409А		Диод универсальный импульсный 24В,0,05А	СЗТП	40	49.14
		КД409А		Диод универсальный импульсный 24В,0,05А	П/П 2
		КД409А		Диод универсальный импульсный 24В,0,05А	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"