|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
DC COMPONENTS
|
5 056
|
8.29
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
|
1 968
|
3.19
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YJ
|
90 745
|
2.31
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
КИТАЙ
|
52
|
22.68
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KLS
|
3 558
|
6.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KOME
|
642
|
4.71
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
LGE
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
HOTTECH
|
76 421
|
3.63
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE
|
16 652
|
5.03
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
SEP
|
8
|
2.58
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
ASEMI
|
6
|
5.72
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSCJ
|
280
|
6.07
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
KUU
|
29 135
|
2.18
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
RUME
|
25 200
|
2.12
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
TRR
|
48 000
|
2.28
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
JSMICRO
|
3 040
|
3.20
|
|
|
|
DB107S |
|
Диодный мост 1А 1000В DB-1S
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
8
|
6.73
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
|
81 663
|
2.67
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
DIODES INC.
|
406
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
FAIRCHILD
|
23
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YJ
|
692
|
3.01
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SEP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
16 000
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
HOTTECH
|
21 342
|
2.98
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
3 812
|
11.48
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
LGE
|
6 787
|
6.20
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
ASEMI
|
576
|
4.56
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNTAN
|
1 629
|
5.05
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
TRR
|
8 400
|
2.82
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
SUNCO
|
43 200
|
3.06
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
KEEN SIDE
|
463
|
2.78
|
|
|
|
DF10S |
|
Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)
|
MERRYELC
|
4 504
|
3.36
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQD19N10LTM |
|
|
FAIRCHILD
|
1 467
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
|
1 592
|
162.16
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
TOP223YN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 100/110В AC, Pвых 50Вт, Umax 700В, Imax 1А
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
246
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
PWR
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
|
|
243.20
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
Power Integrations
|
24
|
322.97
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
POWER INTEGRATI
|
|
|
|
|
|
TOP245PN |
|
ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
172
|
|
|