NAND512R3A2DZA6E
|
IC FLASH 512MBIT 63VFBGA |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | FLASH - NAND |
| Объем памяти | 512M (64M x 8) |
| Интерфейс подключения | Parallel |
| Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 63-VFBGA |
| Корпус | 63-VFBGA (9x11) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS90CR288AMTD |
|
2 430.28 | ||||||
| DS90CR288AMTD | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| DS90CR288AMTD | 4-7 НЕДЕЛЬ | 50 |
|
|||||
 |
 |
GRM21BR61C106KE15L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10% | MURATA |
|
|
|
|
|
|
GRM21BR61C106KE15L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10% | 16 |
|
||
|
|
|
GRM21BR61C106KE15L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10% | MURATA | 5 |
|
|
|
|
|
GRM21BR61C106KE15L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10% | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
GRM21BR61C106KE15L |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ, 16 В, 10% | MUR | 128 336 | 1.29 | |
| MAX3221EIPWR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 |
|
|||||
| MAX3221EIPWR | Texas Instruments |
|
|
|||||
| MAX3221EIPWR |
|
|
||||||
| MAX3221EIPWR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 220 |
|
|||||
| RC0402FR-0739K2L | YAGEO | 715 389 |
|
|||||
| RC0402FR-0739K2L | YAGEO | 10 322 |
|
|||||
| RC0402FR-0745K3L | YAGEO | 390 |
0.70 >1000 шт. 0.14 |
|||||
| RC0402FR-0745K3L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0402FR-0745K3L |
|
|
