|
Память энергонезависимая с последовательным интерфейсом. |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 64K (8K x 8) |
| Скорость | 400kHz |
| Интерфейс подключения | I²C, 2-Wire Serial |
| Напряжение питания | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-PDIP |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2200 UF 35V 105C 1625 (JWC |
|
|
||||||
| 470 UF 35V 105C 1017 (JWCO |
|
|
||||||
| 74AHC1G86GW | NXP |
|
|
|||||
| 74AHC1G86GW | PHILIPS |
|
|
|||||
| 74AHC1G86GW | FAIR |
|
|
|||||
| 74AHC1G86GW |
|
4.76 | ||||||
| 74AHC1G86GW | PHILIPS | 5 840 |
|
|||||
| 74AHC1G86GW | NXP | 4 393 |
|
|||||
| 74AHC1G86GW | NEXPERIA | 68 |
|
|||||
| 74AHC1G86GW | 4-7 НЕДЕЛЬ | 429 |
|
|||||
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | 1 000 | 11.10 | ||
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | ONS | 464 | 21.70 | |
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | 0.00 |
|
|
|
|
|
|
ULN2003ADR2G |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 794 |
|
|
| МКА-10110 ГР.0 | 3 260 | 26.32 | ||||||
| МКА-10110 ГР.0 | РЯЗАНЬ | 1 040 | 46.20 |