| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
|
|
29.04
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
74HC04N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Инвертор х 6
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 220/160V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ, 160 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
|
|
168.00
|
|
|
|
IRGS14C40L |
|
IGBT транзистор 400В, 14А, 125Вт, D2PAK
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SH200M0220B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH200M0220B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH200M0220B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH200M0220B7F-1836 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 200 В
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
128
|
289.30
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|