| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD7680BRMZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD7680BRMZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD7680BRMZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AD7680BRMZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD7680BRMZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
717
|
|
|
|
|
ECAP 470/35V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С
|
|
|
24.00
|
|
|
|
ECAP 470/35V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/35V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/35V 1016 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
|
|
57.48
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
8
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LP2951ACM |
|
Регулируемый ``low drop`` СН (Vout=1.24-29V, tol=1%, I=0.1A, Udrop=0.38V@0.1A, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
636
|
|
|
|
|
|
REF195ES |
|
|
ANALOG DEVICES
|
1
|
291.00
|
|
|
|
|
REF195ES |
|
|
|
4
|
621.18
|
|
|
|
|
REF195ES |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF195ES |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
492
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
201
|
|
|