Версия для печати
Технические характеристики AD826ARZ-REEL7

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	50mA
Ток выходной	6.6mA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток - входного смещения	3.3µA
Полоса пропускания -3Дб	50MHz
Полоса пропускания	50MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	350 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	Voltage Feedback
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KINGBRIGHT
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...			171.92
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	KGB
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CA56-12SRWA		Cемисегм. индикатор, 4-х разрядный, красный, размер симв.14,20х8,00mm, ...	КИТАЙ
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.61
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	4 961	4.57
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	132	1.68
		MMBT5551LT1G			ONS	35 820	4.36
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTOR	5 108
		MMBT5551LT1G				320	1.10
		MMBT5551LT1G			ON SEMICONDUCTO
		MMBT5551LT1G			ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5551LT1G			SEMTECH
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	VISHAY
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONS	8 540	36.01
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A		8 080	10.18
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTOR	580
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMIC
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMICONDUCTOR
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ON SEMICONDUCTO
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	ONSEMI
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	1
		MURS120T3G		Ультрабыстрый выпрямительный диод smd (Vr=200V, I=1A, Ifsm=35A, Vf=1.25V@I=1A	JSMICRO	1 420	2.30
		АЭРОЗОЛЬ № 4 POSITIV RESIST 200 МЛ			CRAMOLIN
		АЭРОЗОЛЬ № 4 POSITIV RESIST 200 МЛ			ГЕРМАНИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"