| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADM707AR |
|
Монитор питания Uпит +4.65В -40..+85C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM707AR |
|
Монитор питания Uпит +4.65В -40..+85C
|
|
|
106.00
|
|
|
|
ADM707AR |
|
Монитор питания Uпит +4.65В -40..+85C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM707AR |
|
Монитор питания Uпит +4.65В -40..+85C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
778
|
|
|
|
|
AT89C51-24PI |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 4K Flash, 4.0 ... 6.0В, ...
|
ATMEL
|
3 187
|
169.60
|
|
|
|
AT89C51-24PI |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 4K Flash, 4.0 ... 6.0В, ...
|
|
288
|
329.30
|
|
|
|
AT89C51-24PI |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 4K Flash, 4.0 ... 6.0В, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT89C51-24PI |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 4K Flash, 4.0 ... 6.0В, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
760
|
|
|
|
|
AT89C51-24PI |
|
8 - битный микроконтроллер на процессоре AT89 x, с ядром 8051, 4K Flash, 4.0 ... 6.0В, ...
|
3884
|
|
|
|
|
|
|
AT90S8515-8PI |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT90S8515-8PI |
|
|
|
8
|
568.26
|
|
|
|
|
AT90S8515-8PI |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
AT90S8515-8PI |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
41
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.30
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
2 414
|
1.81
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
61 992
|
1.38
|
|
|
|
|
СНП268-9РП122-1-ВОТК |
|
|
|
4
|
3 263.74
|
|