Версия для печати
Технические характеристики ADG452BRZ

Корпус	16-SOIC
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	100pA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	±5V, 12V, ±15V
Напряжение питания источника	Dual, Single, Dual Supply
Сопротивление (On-State)	5 Ohm
Каналы	4 x SPST - NO
Функция	Switch
Серия	LC²MOS
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Аналоговые ключи, мультиплексоры, демультиплексоры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1.5SMC39CA			SEMICRON
		1.5SMC39CA			TSC
		1.5SMC39CA					47.68
		1.5SMC39CA			Littelfuse Inc
		1.5SMC39CA			КИТАЙ
		1.5SMC39CA			LTL
		1.5SMC39CA			LITTELFUSE
		1.5SMC39CA			SUNMATE	227	7.61
		564КТ3				4	314.50
		564КТ3			ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		564КТ3			ВОСХОД	52	199.10
		564КТ3			ПАВЛОВ ПАСАД
		564КТ3			МИКРОН
		564КТ3			ПАВЛОВ ПОСАД
		564КТ3			КАЛУГА	33	95.40
		564КТ3			ЭКСИТОН
		564КТ3			ПАВЛО ПОСАД
		564КТ3			ПАВЛОВ.ПОСАД
		564КТ3			ФОРМ
		564КТ3			МИСКВА ФОРМ
		564КТ3			МОСКВА ФОРМ
		564КТ3			ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД
		564КТ3			РОДОН
		564КТ3			АЗОН
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)		60 265	2.00  >100 шт.   1.00
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	800	8.59
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	INFINEON
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MCC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	DC COMPONENTS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY	3 689	1.85
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	OTHER	12 800
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PHILIPS	1 424
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ	8	1.50
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP	7 139
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YJ	300 144	1.82  >100 шт.   0.91
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	GALAXY ME
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	HOTTECH	21 428	2.07
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	LRC
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	KLS
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	PANJIT
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SEMTECH	4	2.68
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YOUTAI	42 094	1.38  >100 шт.   0.69
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	8 102	1.82
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ZH
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ASEMI
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	TRR
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YIXING
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	1
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SUNTAN	361 462	1.02
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	SHIKUES
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BC807-40		Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MERRYELC	4 800	1.02
		LT1964ES5-SD					552.00
		LT1964ES5-SD			LTC
		LT1964ES5-SD			AD-LTC
		LT1964ES5-SD			4-7 НЕДЕЛЬ	603
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц			12.68
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"