Версия для печати
Технические характеристики SPB07N60S5

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	CoolMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 350µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	970pF @ 25V
Power - Max	83W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	PG-TO263-3

SPP07N60S5 Cool MOSTM Power-Transistor Также в этом файле: SPB07N60S5 Производитель: Infineon Technologies AG //www.infineon.com SPB07N60S5 datasheet 113.1Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT48		Диод Шоттки 40V 0,35A DO35	NXP
		BAT48		Диод Шоттки 40V 0,35A DO35	ST MICROELECTRONICS
		BAT48		Диод Шоттки 40V 0,35A DO35			12.36
		BAT48		Диод Шоттки 40V 0,35A DO35	STMicroelectronics
		BAT48		Диод Шоттки 40V 0,35A DO35	ST MICROELECTRONICS SEMI	63
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	DC COMPONENTS	1 605	12.30
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S		2 160	3.09
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	RECTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRON
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	КИТАЙ
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KINGTRONICS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	MULTICOMP
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	KLS
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	COSMO
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	GALAXY ME
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	HOTTECH
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	SEP	56	2.23
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	273
		DB106S		Диодный мост 1А 800В DB-1S	71
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	VISHAY
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень		24	65.60
		IRLD110		Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 100В, логический уровень	Vishay/Siliconix
		RGP10J			FAIR
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			FAIRCHILD
		RGP10J			GENERAL SEMICONDUCTOR	5 141
		RGP10J
		RGP10J			Fairchild Semiconductor
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		49	18.40
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	80	24.99
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"