NTMSD3P102R2G


Купить NTMSD3P102R2G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NTMSD3P102R2G MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
Версия для печати

Технические характеристики NTMSD3P102R2G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Product Change NotificationProduct Discontinuation 04/April/2008 Wire Change 12/May/2009
СерияFETKY™
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureDiode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 3.05A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.34A
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
Power - Max730mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


NTMSD3P102R2G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход