NTMSD3P102R2G
|
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Product Discontinuation 04/April/2008 Wire Change 12/May/2009 |
| Серия | FETKY™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Diode (Isolated) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.34A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 750pF @ 16V |
| Power - Max | 730mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru