IRF640FP
|
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MESH OVERLAY™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1560pF @ 25V |
| Power - Max | 40W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220FP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
GBU808 |
|
Diodes Inc |
|
|
||
|
|
|
GBU808 |
|
|
|
|||
|
|
|
GBU808 |
|
YT |
|
|
||
|
|
|
GBU808 |
|
DIODES |
|
|
||
| IRS2505LTR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRS2505LTR |
|
|
||||||
| IRS2505LTR | INFINEON |
|
|
|||||
| IRS2505LTR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 335 |
|
|||||
|
|
NE5517AN | NEC |
|
|
||||
|
|
NE5517AN | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
NE5517AN | ONS |
|
|
||||
|
|
NE5517AN |
|
210.68 | |||||
|
|
NE5517AN | ИНДОНЕЗИЯ |
|
|
||||
|
|
NE5517AN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 80 |
|
||||
 |
|
NJM13700D |
|
NJR |
|
|
||
|
|
|
NJM13700D |
|
|
|
|||
|
|
|
NJM13700D |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 461 |
|
