GBU808

RECT BRIDGE GPP 8A 800V GBU

Версия для печати

Технические характеристики GBU808

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Peak Reverse (Max)	800V
Current - DC Forward (If)	8A
Diode Type	Single Phase
Скорость	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	GBU
Корпус	GBU

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

GBU808 datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1480	Биполярный транзистор	SANYO
2SA1480	Биполярный транзистор			55.28
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	SANYO
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)	КИТАЙ
2SC3790	NPN 300V, 0.1A, 7W, 150MHz (Comp. 2SA1480)
2SC5395-T12-F		MITSUBISHI
2SC5395-T12-F		MITSUBISHI
2SC5395-T12-F
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
BC557	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	7 154	2.26
UC3846DWTRG4		Texas Instruments

GBU808

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диодные мосты

С этим товаром покупают: