|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 17A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 28A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1700pF @ 25V |
| Power - Max | 3.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRF540S (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF740STRLPBF | VISHAY |
|
|
|||||
| IRF740STRLPBF | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| IRLR120NTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLR120NTRPBF | INFINEON | 496 | 39.26 | |||||
| IRLR120NTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | 31 |
|
|||||
| IRLR120NTRPBF | 1 680 | 26.56 | ||||||
| К293ЛП7Т |
|
|
||||||
| К293ЛП7Т |
|
|
||||||
| К293ЛП7Т | ПРОТОН |
|
|
|||||
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | 1 | 29.60 | ||
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | РИГА |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | МСХ1 |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ЛАТВИЯ |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | RUS |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА РИГА | 232 | 96.09 | |
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| ОПТОРЕЛЕ PRAB37S | ПРОТОН |
|
|