|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRF540S |
|
Hexfet® power mosfet | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF540S |
|
Hexfet® power mosfet |
|
|
||
|
|
|
IRF540S |
|
Hexfet® power mosfet | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF540S |
|
Hexfet® power mosfet | INTERNATIONAL RECTIFIER | 304 |
|
|
| IRF740STRLPBF | VISHAY |
|
|
|||||
| IRF740STRLPBF | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| К293ЛП7Т |
|
|
||||||
| К293ЛП7Т |
|
|
||||||
| К293ЛП7Т | ПРОТОН |
|
|
|||||
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | 1 | 29.60 | ||
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | РИГА |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | МСХ1 |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ЛАТВИЯ |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | RUS |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА РИГА | 208 | 113.65 | |
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | АЛЬФА |
|
|
|
|
|
|
КР1006ВИ1 |
|
Микросхема таймерформирования импульсов напряжения | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
| ОПТОРЕЛЕ PRAB37S | ПРОТОН |
|
|