RFG70N06

Версия для печати

Технические характеристики RFG70N06

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 70A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	70A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	156nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2250pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247
Product Change Notification	Lead Frame Change 20/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

RFG70N06 (MOSFET)

N-Channel Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

RFG70N06 datasheet
230.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	DC COMPONENTS	3 580	1.78
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz		11 200	1.10 >100 шт. 0.55
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CHANGJIANG ELECTRONIC TECH CO	1 220
2SA1015	Транзистор PNP 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	HOTTECH
2SA1020 PNP 50V		ON SEMICONDUCTOR
KTA733P		KEC
KTA733P
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		53 179	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27