IRFBC40A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFBC40A (INTERNATIONAL RECTIFIER)	266	113.40
IRFBC40A		87.36

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC40A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1036pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC40A (Дискретные сигналы)

Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=1.2ohm, Id=6.2A)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFBC40A datasheet
99.47Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
22 UF 100V 105C 812
22 UF 63V 105C 511
FR306 (3A 800V)
IRG4BC30UD	Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4BC30UD	Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)			362.40
IRG4BC30UD	Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)	КИТАЙ
IRG4BC30UD	Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)	INFINEON
IRG4BC30UD	Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)	IR/VISHAY	6	363.00
К75-15 3000 В 0.25 МКФ 10%