IRFBC40A
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.1А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.2A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1036pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBC40A (Дискретные сигналы) Power MOSFET (Vdss=600V, Rds (on) max=1.2ohm, Id=6.2A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22 UF 63V 105C 511 |
|
|
||||||
| 4.7 UF 100V 105C 612 |
|
3.60 | ||||||
 |
 |
BUZ90A |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BUZ90A |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
BUZ90A |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BUZ90A |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W |
|
130.68 | ||
|
|
|
BUZ90A |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | FAIR |
|
|
|
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) |
|
362.40 | |||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | КИТАЙ |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | INFINEON |
|
|
||
|
|
IRG4BC30UD |
|
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast) | IR/VISHAY | 8 | 251.90 | ||
| К75-15 3000 В 0.25 МКФ 10% |
|
|
