| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
5 647
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
73 000
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DC COMPONENTS
|
24 760
|
1.86
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВТР
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC
|
171 135
|
1.46
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIC
|
32 318
|
1.45
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DI
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
6 800
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD
|
2 439
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GULF SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
OTHER
|
256
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
КИТАЙ
|
51 200
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
|
113 203
|
3.70
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEMTECH
|
97 961
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ROHS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YJ
|
66 726
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KATO
|
800
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SEHTECH
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
51 612
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 332
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
HOTTECH
|
623 678
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
MIG
|
17 439
|
1.06
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
|
21 425
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
LGE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
RUME
|
648 320
|
1.41
>500 шт. 0.47
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
CTK
|
314
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
SENOCN
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ЦВЕТОТРОН
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
5679
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
80658
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
80458
|
|
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
ELZET
|
180 000
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
1N4148 |
|
Импульсный диод 150 мА,100В
|
XXW
|
34 400
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
16 585
|
5.76
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
534
|
3.78
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
12 888
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
74
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.11
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
3 395
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
RUME
|
480
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
DC COMPONENTS
|
3
|
15.49
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
|
4 496
|
5.01
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
MIC
|
5 560
|
14.00
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YJ
|
9 399
|
12.44
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGJIE
|
12 003
|
8.96
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
1
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
SUNTAN
|
66
|
7.60
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
XSEMI
|
268
|
4.71
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KOME
|
1 360
|
7.65
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
YS
|
|
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
KEEN SIDE
|
1 200
|
3.67
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
HOTTECH
|
1 600
|
7.22
|
|
|
|
HER508 |
|
Диод выпрямительный высокоэффективный 5 A, 1000 В
|
RUME
|
976
|
3.96
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
98.38
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
|
684
|
79.55
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
YOUTAI
|
6 193
|
21.46
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
WS
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
1 407
|
212.00
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
277
|
234.36
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
52
|
530.94
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ПО "ДНЕПР"
|
227
|
299.63
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
20
|
|
|
|