STW25NM60ND
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | FDmesh™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 21A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 50V |
| Power - Max | 160W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SA1680 |
|
Биполярный транзистор PNP lo-sat, 50V, 2A, 0.9W | TOSHIBA |
|
|
||
|
|
2SA1680 |
|
Биполярный транзистор PNP lo-sat, 50V, 2A, 0.9W | TOS |
|
|
||
|
|
2SA1680 |
|
Биполярный транзистор PNP lo-sat, 50V, 2A, 0.9W |
|
19.68 |
