STP10NK80Z

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP10NK80Z (ST MICROELECTRONICS)	209	298.31
STP10NK80Z	6	262.08

Версия для печати

Технические характеристики STP10NK80Z

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	72nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2180pF @ 25V
Power - Max	160W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP10NK80Z (MOSFET)

N-channel 800V - 0.78? - 9A - TO-220 Zener-protected superMESHTM MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP10NK80Z datasheet
450.4 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.1UF 250V 10% CL21
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц			4.20
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	KEMET
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	NXP	626
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	PHILIPS	18 448
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	HOTTECH
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	JSCJ	372 668	1.31
BC817	Биполярный транзистор 50В, 0,5А, 200МГц	TOP DIODE	81 600	1.05
ETD59 B66397-G-X187 N87	Ферритовый сердечник 2200, 500кГц, Ш-образный			345.04
ETD59 B66397-G-X187 N87	Ферритовый сердечник 2200, 500кГц, Ш-образный	EPCOS
VS-HFA30PA60CPBF	Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY/IR
VS-HFA30PA60CPBF	Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY
SSSS925800		ALPS
SSSS925800			8	400.00
SSSS925800		ALPS