IRFH5250TR2PBF
|
MOSFET N-CH 25V 45A PQFN |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.15 mOhm @ 50A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 45A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7174pF @ 13V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-VQFN |
| Корпус | PQFN (5x6) Single Die |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRFH5300TR2PBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRFH5300TR2PBF |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
LM5111-3M | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM5111-3M | NSC |
|
|
||||
|
|
LM5111-3M |
|
133.28 | |||||
|
|
LM5111-3M | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
LM5111-3M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 732 |
|
