FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BLM15PD121SN1D		MURATA	3 600	1.46 >100 шт. 0.73
BLM15PD121SN1D		MURATA	7 272
BLM15PD121SN1D				10.80
BLM15PD121SN1D		Murata Electronics North America
BLM15PD121SN1D		MUR	16 214	0.81 >500 шт. 0.27
BLM15PD121SN1D		0.00
DLP31SN551ML2L		MUR	2 033	67.22
DLP31SN551ML2L		Murata Electronics North America
DLP31SN551ML2L
DLP31SN551ML2L		MURATA	10	98.36
DLP31SN551ML2L		MURATA	2 988
LMC555CMM		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LMC555CMM		NSC
LMC555CMM				358.00
LMC555CMM		NATIONAL SEMICONDUCTOR	512
LMC555CMM		TEXAS INSTRUMENTS
LMC555CMM		TEXAS
LMC555CMM		TEXAS INSTRUMENTS	114
LMC555CMM		4-7 НЕДЕЛЬ	232
NFM18PS105R0J3D		MURATA	107	8.27
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	12 645	2.62
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS	1	9.21
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA