Версия для печати
Технические характеристики BYG21M-E3/TR

Current - Reverse Leakage @ Vr	1µA @ 1000V
Current - Average Rectified (Io)	1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.6V @ 1.5A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Diode Type	Avalanche
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)	120ns
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	DO-214AC, SMA
Корпус	DO-214AC (SMA)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAI/QTC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FSC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)		81 664	2.67
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GALAXY
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	DIODES INC.	406
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	FAIRCHILD	23
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL INSTRUMENT
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	EIC
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Fairchild Semiconductor
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Diodes Inc
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	Vishay/Semiconductors
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	КИТАЙ
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YJ	832	4.33
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SEP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	16 000
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ONS-FAIR
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	HOTTECH	17 757	3.99
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MULTICOMP
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGJIE (YJ)
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	MASTER INSTRUMENT CO	3 812	12.05
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	LGE	6 547	6.20
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	ASEMI	619	4.81
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNTAN	1 997	5.33
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	TRR	9 600	2.95
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	YANGZHOU YANGJIE
		DF10S		Диодный мост (V=1000В, I=1.0А@T=40C, Ifsm=50A)	SUNCO	43 200	4.36
		KBP210G			Diodes Inc
		KBP210G			DC COMPONENTS	34	20.38
		KBP210G			DIODES
		KBP210G
		PIC18F25K80-I/SS		Микроконтроллер 8ми битный 64МГц, 32кб/4кб, I2C/SPI/ USART, 1.8 ... 5.5В	Microchip Technology
		PIC18F25K80-I/SS		Микроконтроллер 8ми битный 64МГц, 32кб/4кб, I2C/SPI/ USART, 1.8 ... 5.5В	MICRO CHIP
		PIC18F25K80-I/SS		Микроконтроллер 8ми битный 64МГц, 32кб/4кб, I2C/SPI/ USART, 1.8 ... 5.5В	MICRO CHIP
		PIC18F25K80-I/SS		Микроконтроллер 8ми битный 64МГц, 32кб/4кб, I2C/SPI/ USART, 1.8 ... 5.5В		168	308.02
		PIC18F25K80-I/SS		Микроконтроллер 8ми битный 64МГц, 32кб/4кб, I2C/SPI/ USART, 1.8 ... 5.5В	4-7 НЕДЕЛЬ	336
		PL2303HX				152	107.87
		PL2303HX				152	107.87
		PL2303HX			4-7 НЕДЕЛЬ	131
		SLVU2.8-4A1			ST MICROELECTRONICS
		SLVU2.8-4A1			STMicroelectronics
		SLVU2.8-4A1
		SLVU2.8-4A1			4-7 НЕДЕЛЬ	358

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"