|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
56
|
42.05
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
1 826
|
24.52
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
2 076
|
28.85
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
FSC
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
США
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
ONS
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
KA7909TU |
|
Стабилизатор напряжения линейный -9V 1.0A 4% 0..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 356
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 097
|
49.34
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
|
455
|
44.40
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
UMW
|
1 280
|
13.43
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
YOUTAI
|
2 392
|
10.78
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
103
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
86.94
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
1 169
|
25.64
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
17 645
|
26.91
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 900
|
21.07
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
2 533
|
27.44
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
25 034
|
30.68
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
24.80
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
STPS30150CT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
960
|
67.52
|
|
|
|
STPS30150CT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STPS30150CT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STPS30150CT |
|
|
|
|
|
|
|
|
STPS30150CT |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|