|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
|
|
20.96
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2SC2235 |
|
Биполярный транзистор Si-N (120/120V, 0,8A, 0,9W, 120MHz)
|
JSCJ
|
1 500
|
97.72
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILAB
|
17 545
|
219.47
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
|
2 147
|
191.63
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
2 496
|
247.97
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLAB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICON LABS
|
5 587
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
Silicon Laboratories Inc
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SILICONLABS
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
SLB
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
1
|
|
|
|
|
|
CP2102-GMR |
|
Преобразователь интерфейса USB 2.0 – UART до 1МБс, 1024 EEPROM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
330
|
|
|
|
|
K9K4G08U0M-YCB0 |
|
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
K9K4G08U0M-YCB0 |
|
|
SAMSUNG
|
4
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
4
|
292.58
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
|
467
|
248.74
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STM32F100RBT6B |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
723
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
340.96
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
32
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F105VCT6 |
|
MCU ARM 256KB FLASH MEM
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
712
|
|
|