Версия для печати
Технические характеристики 293D156X9035D2TE3

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TANTAMOUNT® 293D
Емкость	15µF
Номинальное напряжение	35V
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	700.0 mOhm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	2917 (7343 Metric)
Size / Dimension	0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm)
Высота	0.122" (3.10mm)
Manufacturer Size Code	D
Возможности	General Purpose

Танталовый ЧИП конденсатор 150 мкФ, 16В, тип D, 10% 293D156X9035D2TE3 datasheet 609,48kB 24стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		293D156X9016B2TE3			VISHAY	6	20.66
		293D156X9016B2TE3			Vishay/Sprague
		293D156X9016B2TE3
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	SPRAGUE
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	Vishay/Sprague
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В	VISHAY	4 240	19.01
		293D336X9016C2TE3		Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	119	75.60
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 331	88.80
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	МЕКСИКА
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	VBSEMI
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	1
		IRF640N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	EVVO	478	39.51
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MICRO SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MASTER INSTRUMENT CO
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MCC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DIOTEC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SEMICRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMI
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FAIRCHILD	12 903
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	Fairchild Semiconductor
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	КИТАЙ
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	DC COMPONENTS	19 038	2.46
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MIC	26 020	2.49
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRON
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)		6 050	1.56
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	KINGTRONICS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	FSC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	ONS-FAIR
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YJ	39 200	2.07
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	GALAXY ME
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	LRC
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE	27 200	2.39
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGJIE (YJ)
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	HOTTECH
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	WUXI XUYANG
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	1
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	MDD	3 050	2.60
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	SUNTAN	12	2.68
		UF4007		Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)	YANGZHOU YANGJIE
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	DC COMPONENTS	4 264	9.34
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MCC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)		7 774	9.54
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	КИТАЙ
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	MIC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	KINGTRONICS
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	PANJIT
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	GALAXY ME
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	TSC
		W08M		Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	HOTTECH	681	9.72

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"