Версия для печати
Технические характеристики B32529C104J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MKT B32529
Емкость	0.1µF
Voltage - AC	40V
Voltage - DC	63V
Dielectric Material	Polyester, Metallized
Допустимые отклонения емкости	±5%
Tolerance	±5%
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	Radial
Size / Dimension	0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm)
Высота	0.256" (6.50mm)
Termination	PC Pins
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	General Purpose

Пленочный конденсатор радиальный 1000пФ, 200В DC, 400В AC, 10% B32529C104J datasheet 824,78kB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Пленочные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		GRM2165C1H101JA01D		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В	MURATA
		GRM2165C1H101JA01D		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM2165C1H101JA01D		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В	MUR	37 890	1.06  >100 шт.   0.53
		GRM2165C1H101JA01D		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В	MURATA
		GRM2165C1H101JA01D		Керамический конденсатор 100 пФ 50 В		3 200
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MUR	52 868	1.16
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	Murata Electronics North America
		GRM21BR71H474KA88L		Керамический конденсатор 0.47 мкФ 50 В	MURATA	73 040	8.45
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		308	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	2 048	19.51
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY	1	29.04
		T491A104K035AT			KEMET
		T491A104K035AT			KEMET
		T491A104K035AT
		T491A104K035AT			МЕКСИКА
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	34.02
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		8	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	749

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"