GRM55ER72A475KA01L
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | GRM |
| Емкость | 4.7µF |
| Номинальное напряжение | 100V |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Корпус (размер) | 2220 (5750 Metric) |
| Size / Dimension | 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm) |
| Thickness | 0.106" (2.70mm) |
| Тип | Керамический |
| Tolerance | ±10% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CL10B225KP8NFNC | SAMSUNG | 1 600 |
1.96 >100 шт. 0.98 |
|||||
| CL10B225KP8NFNC |
|
|
||||||
 |
 |
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
|
904.00 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY | 21 | 1 089.00 | |
|
|
MD2202-D128-X |
|
SanDisk |
|
|
|||
| НКИ 1.5-4 | 6 800 | 2.96 | ||||||
| НКИ 1.5-4 | КВТ |
|
|
|||||
| НКИ 1.5-4 | KVT |
|
|
|||||
| НКИ 1.5-6 | 3 280 | 5.42 | ||||||
| НКИ 1.5-6 | КВТ | 2 203 | 7.23 | |||||
| НКИ 1.5-6 | KVT | 137 | 4.32 |
