|
CAP CER 18000PF 16V X7R 0402 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | GRM |
| Емкость | 0.018µF |
| Номинальное напряжение | 16V |
| Допустимые отклонения емкости | ±10% |
| Tolerance | ±10% |
| Температурный коэфициент | X7R |
| Тип монтажа | Поверхностный, MLCC |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Сфера применения | General Purpose |
| Корпус (размер) | 0402 (1005 Metric) |
| Size / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Thickness | 0.022" (0.55mm) |
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10.0000 MHZ HC-49S | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
| C566C-GFN-CV0Z0791 | CREE |
|
|
|||||
| C566C-GFN-CV0Z0791 | Cree Inc |
|
|
|||||
| C566C-GFN-CV0Z0791 |
|
|
||||||
| CLM3S-BKW-CRATAAA3 | CREE |
|
|
|||||
| CLM3S-BKW-CRATAAA3 | Cree Inc |
|
|
|||||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
Microchip Technology |
|
|
||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
|
|
|||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
MICRO CHIP |
|
|
||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
MCT |
|
|
||
|
|
|
MRF49XAT-I/ST |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 581 |
|
||
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | 900 | 45.36 | ||
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | ПЛАНЕТА | 5 824 | 52.50 | |
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN | RUS |
|
|