|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3100pF @ 12V |
| Power - Max | 890mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 5-DFN, SO8 FL |
| Корпус | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4841NHT1G | ONS |
|
|
|||||
| NTMFS4841NHT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 044 |
|
|||||
| NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
|
|
|
TCST2103 |
|
Датчик щелевой | 16 | 156.00 | ||
|
|
|
TCST2103 |
|
Датчик щелевой | VISHAY | 1 284 | 52.69 | |
|
|
|
TCST2103 |
|
Датчик щелевой | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
|
|
|
TCST2103 |
|
Датчик щелевой | 4-7 НЕДЕЛЬ | 238 |
|