0.15UF 400V 10% CL21
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.1UF 630V 10% CL21 |
|
|
||||||
| WBU-202 |
|
|
||||||
| WBU-202 |
|
|
||||||
| WBU-202 | КИТАЙ | 13 | 216.97 | |||||
 |
 |
КД105Б. |
|
Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА |
|
|
||
 |
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 340 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | КРЕМНИЙ | 532 | 26.46 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | БРЯНСК | 2 303 | 37.80 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ | 6 | 42.36 | |
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
| МОНТАЖНЫЕ ПЕРЕМЫЧКИ BBJ-65-BL ДЛЯ МАКЕТНЫХ ПЛАТ БЕЗ ПАЙКИ | CIXI |
|
|
