|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805 82КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
0805 82КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-1.0K 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-1.0K 5% |
|
Резистор постоянный металлодиэлектрический 0.5Вт, 1кОм, 5%
|
|
36
|
2.84
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
ONS
|
608
|
54.12
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
|
1
|
98.28
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
1
|
|
|
|
|
|
MOC3041M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=15mA, Vdrm=400V(peak), ...
|
YOUTAI
|
6 188
|
10.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
984
|
32.02
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
24.57
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 152
|
39.90
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 399
|
16.80
|
|
|
|
КУ202Р1 |
|
|
|
304
|
18.40
|
|
|
|
КУ202Р1 |
|
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КУ202Р1 |
|
|
СТАРТ
|
673
|
29.40
|
|
|
|
КУ202Р1 |
|
|
СЗТП
|
8
|
113.40
|
|
|
|
КУ202Р1 |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|