| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805 82КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
TAIWAN
|
|
|
|
|
|
|
0805 82КОМ 0.1ВТ 5% |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL
|
1 444
|
318.00
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
|
484
|
260.68
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
800
|
423.61
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
384
|
|
|
|
|
|
ATTINY2313-20SU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер 2K ISP Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 18 I/O ...
|
1805
|
|
|
|
|
|
|
АМПЕРМЕТР 5А (40Х40) |
|
|
|
83
|
77.63
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
|
524
|
32.02
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМНИЙ
|
52
|
26.55
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
БРЯНСК
|
3 152
|
40.28
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
ЭЛЬТАВ
|
3 399
|
16.96
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
3940
|
|
|
|
|
|
|
КТ816В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...
|
4249
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-560 КОМ-5% |
|
|
|
784
|
5.55
|
|
Версия для печати
