Версия для печати
Технические характеристики КС168В

Мощность рассеяния,Вт	0.15
Минимальное напряжение стабилизации,В	6.2
Номинальное напряжение стабилизации,В	6.8
Максимальное напряжение стабилизации,В	7.4
Статическое сопротивление Rст.,Ом	28
при токе I ст,мА	10
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.05
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	20
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd25
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления			4.92
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	PHILIPS	5 564
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	ONS-FAIR
		BC557		Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	5 372	1.71
		RC0805JR-07150K		Резистор SMD, 0805, 150кОм, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		RC0805JR-07150K		Резистор SMD, 0805, 150кОм, 0.125Вт, 5%	YAGEO
		Д818Г		стекло		982	160.08
		Д818Г		стекло	НЗПП	496	76.46
		Д818Г		стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП	11	82.45
		Д818Г		стекло	НОВОСИБИРСК
		Д818Г		стекло	ХЕРСОН
		Д818Г		стекло	RUS
		Д818Д				1 529	18.90
		Д818Д			НЗПП	144	57.86
		Д818Д			НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		Д818Д			НОВОВСИБИРСК
		Д818Д			НОВОСИБИРСК	4 059	21.00
		Д818Д			RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		2 267	11.04
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	1 176	42.36
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"