|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YJ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
|
359
|
24.05
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
MIC
|
2 743
|
10.77
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
HOTTECH
|
7 244
|
9.15
|
|
|
|
2W10M |
|
Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...
|
YIXING
|
4 000
|
8.73
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
78 072
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
CC0805KRX7R9BB273 |
|
Керамический конденсатор 0.027 мкФ 50 В
|
|
|
|
|
|
|
GRM155R71H152KA01D |
|
|
MURATA
|
88 800
|
1.02
>500 шт. 0.34
|
|
|
|
GRM155R71H152KA01D |
|
|
MURATA
|
5 332
|
|
|
|
|
GRM155R71H152KA01D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
GRM155R71H152KA01D |
|
|
MUR
|
402 610
|
0.69
>500 шт. 0.23
|
|
|
|
GRM155R71H152KA01D |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
|
|
158.28
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
TECAP 10/10V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
TECAP 10/10V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TECAP 10/10V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
SAM
|
|
|
|
|
|
TECAP 10/10V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
AVX
|
|
|
|
|
|
TECAP 10/10V B 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 10 мкФ 10 В
|
HOTTECH
|
|
|
|